Samsung, Nvidia Bellekleri İçin TSMC’nin 3 Nanometrelik Sürecini Kullanacak
Samsung, standart HBM ve diğer müşterilere yönelik özel ürünlerde kendi üretim modelini korurken Nvidia’nın özel bellek yongalarına ilişkin taleplerini kabul etti.
Öne çıkanlar
- Samsung, Nvidia’nın özel HBM taban kalıpları için TSMC’nin 3 nanometrelik sürecini kullanmayı planlıyor.
- Samsung, standart HBM ve diğer müşterilere yönelik özel ürünlerde şirket içi üretim modelini sürdürecek.
Samsung Electronics, Nvidia’nın yeni nesil özel yüksek bant genişlikli bellek yongalarının taban kalıplarını üretmek için TSMC’nin 3 nanometrelik sürecini kullanmayı planlıyor. Seoul Economic Daily’nin pazar günkü haberine göre bu üretim süreci kullanılacak.
Gazetenin sektör kaynaklarına dayandırdığı habere göre Nvidia, Samsung, SK Hynix ve Micron Technology’den yongaların taban kalıplarında bu süreci, çekirdek kalıplarında ise altıncı nesil DRAM’i kullanmalarını istedi. Habere göre Samsung, şirket içi bir değerlendirmenin ardından bu talepleri kabul etti.
Samsung, standart HBM ve diğer müşterilere yönelik özel ürünler için şirket içi üretim modelini sürdürmeyi planlıyor. Gazetenin haberine göre şirket, talebin TSMC’nin kapasitesini aşması durumunda taban kalıplarını kendi dökümhanesinde üretme seçeneğini de değerlendiriyor.
Bu içerik yapay zeka teknolojilerinden faydalanılarak üretilmiştir. Yukarıda listelenen yayın kuruluşlarının haberlerine dayanır.
