Samsung will für Nvidia-Speicher TSMCs 3-Nanometer-Prozess nutzen
Samsung akzeptierte Nvidias Anforderungen an maßgeschneiderte Speicherchips, hält bei Standard-HBM und Produkten für andere Kunden aber an seinem eigenen Produktionsmodell fest.
Das Wichtigste
- Samsung plant, TSMCs 3-Nanometer-Prozess für die HBM-Basis-Dies der maßgeschneiderten Nvidia-Chips zu nutzen.
- Samsung hält bei Standard-HBM und maßgeschneiderten Produkten für andere Kunden an seinem hauseigenen Produktionsmodell fest.
Samsung Electronics plant, TSMCs 3-Nanometer-Prozess für die Basis-Dies der maßgeschneiderten High-Bandwidth-Memory-Chips der nächsten Generation von Nvidia zu nutzen, berichtete die Seoul Economic Daily am Sonntag.
Nvidia habe Samsung, SK Hynix und Micron Technology aufgefordert, den Prozess für die Basis-Dies sowie DRAM der sechsten Generation für die Core-Dies der Chips zu verwenden, berichtete die Zeitung unter Berufung auf Branchenkreise. Samsung habe die Anforderungen nach einer internen Prüfung akzeptiert, hieß es.
Samsung will bei Standard-HBM und maßgeschneiderten Produkten für andere Kunden an seinem hauseigenen Produktionsmodell festhalten. Das Unternehmen prüft außerdem, ob die eigene Foundry die Basis-Dies fertigen könnte, falls die Nachfrage die Kapazität von TSMC übersteigt, berichtete die Zeitung.
Dieser Inhalt wurde mithilfe von KI-Technologien erstellt. Beruht auf Berichten der oben genannten Medien.
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